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芯片的可靠性測試項(xiàng)目有哪些?

作者: 發(fā)布日期:2024-06-17

什么是可靠性測試?

芯片的可靠性測試是針對芯片進(jìn)行的一系列嚴(yán)格的測試,目的是驗(yàn)證這些芯片在各種操作條件下的性能、穩(wěn)定性和壽命。

 

可靠性測試有哪些?

Precon,預(yù)處理,簡寫為PC,也有叫MSL濕度敏 感試驗(yàn)的,目的:評估芯片在吸收濕氣后,在表面貼裝技術(shù)的回流焊連過程中是否會出現(xiàn)脫層、裂痕或爆米花效應(yīng)等。

THB,溫濕度偏壓壽命試驗(yàn):在高溫高濕環(huán)境下對芯片施加電壓,測試其長時間運(yùn)行的可靠性和穩(wěn)定性。

H3TRB,高溫高濕反偏試驗(yàn):與THB類似,但是在高溫高濕環(huán)境中對芯片施加反向電壓。

BHAST高加速壽命試驗(yàn), 也叫HAST:加速評估產(chǎn)品在高濕高溫環(huán)境中的可靠性,比標(biāo)準(zhǔn)測試更快得到結(jié)果。 

UHAST:與傳統(tǒng)的HAST相比,UHAST不施加電壓。TCT:,高低溫循環(huán)試驗(yàn):芯片反復(fù)在高溫與低溫之間循環(huán),檢查因溫差引起的物理或功能性損壞。

PTC 功率溫度循環(huán):模擬在功率變化下芯片受到的熱循環(huán)影響,評估其在功率和溫度雙重影響下的可靠性。

 PCT,高壓蒸煮試驗(yàn) :芯片置于高壓蒸汽環(huán)境中一定時間,測試其對潮濕和熱應(yīng)力的耐受性 TST,高低溫沖擊試驗(yàn):芯片在很短時間內(nèi)從一溫度限值迅速轉(zhuǎn)移到另一溫度限值,反復(fù)多次,以測試其熱沖擊耐受性。

HTST/HTS,高溫儲存試驗(yàn):將樣品置于控制的高溫環(huán)境中一定時期,然后進(jìn)行電氣和物理性能測試,檢查性能退化或物理變化。

可焊性試驗(yàn):確定組件的引腳或焊盤是否能夠被焊錫良好濕潤,保證在焊連過程中能形成良好的焊點(diǎn)。

 焊線推拉力試驗(yàn):使用專用設(shè)備對焊線進(jìn)行拉力或剪切力測試,測量斷裂前的限值力量。錫球推力試驗(yàn):對錫球施加水平剪切力,記錄剪切前的限值力量。 

錫球熱拔試驗(yàn):評估錫球在高溫下的拉伸強(qiáng)度。錫球冷拔試驗(yàn):評估錫球在室溫下的拉伸強(qiáng)度等。


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