高低溫試驗屬于氣候類環(huán)境可靠性試驗中比較常見的檢驗項目之一，高低溫試驗首要模仿干熱和干冷大氣環(huán)境，如夏天的天熱，冬季的天冷。高低溫試驗首要查核產(chǎn)品在作業(yè)狀態(tài)下或貯存狀態(tài)下產(chǎn)品的功用功用是否產(chǎn)生降低和改動，首要查核產(chǎn)品的高低溫耐受才干。

試驗內(nèi)容：
低溫工作、低溫貯存、高溫工作、高溫貯存、低溫啟動、高溫啟動、高低溫循環(huán)、溫度沖擊、高溫壽命、高溫老化等。
 
高低溫試驗是用來承認產(chǎn)品在溫濕度氣候環(huán)境條件下貯存、運送、運用的適應(yīng)性。
高低溫試驗的嚴苛程度取決于高/低溫、濕度和曝露繼續(xù)時間。
 
高低溫可靠性試驗服務(wù)領(lǐng)域：
高低溫試驗箱用于工業(yè)產(chǎn)品高、低溫的可靠性試驗。對電子電工、轎車摩托、航飛系統(tǒng)、船只兵器、高等院校、科研單位等相關(guān)產(chǎn)品的零部件及資料在高、低溫循環(huán)改動的情況下，查驗其各項功用指標。
 
高低溫試驗方法：
預(yù)處理：將被測樣品放置在正常的試驗大氣條件下，直至達到溫度穩(wěn)定。
初步檢測：將測試樣品與標準要求進行比較，滿足要求后直接放入高低溫試驗箱。
 
樣品斷電時，試驗樣品應(yīng)按標準要求放置在試驗箱內(nèi)，試驗箱（室）內(nèi)溫度應(yīng)降至-50℃，保持4小時；不要在樣品通電狀態(tài)下進行低溫測試，這一步非常重要，因為芯片本身在通電狀態(tài)下會產(chǎn)生20℃因此，在通電狀態(tài)下，通常更容易通過低溫試驗，須先凍透，再通電試驗。
 
在低溫階段結(jié)束后5min將試驗樣品轉(zhuǎn)換為已調(diào)整的樣品90℃保持在高溫試驗箱（室）內(nèi)4h或者直到測試樣品達到溫度穩(wěn)定，與低溫測試相反，加熱過程不斷電，芯片內(nèi)部溫度保持高溫，4小時后執(zhí)行A、B測試步驟。
進行老化測試，觀察是否存在數(shù)據(jù)對比錯誤。
高溫和低溫試驗分別重復(fù)10次。
重復(fù)上述實驗方法，以完成三個循環(huán)。根據(jù)樣品的大小和空間的大小，時間可能略有誤差。

恢復(fù)：試驗樣品從試驗箱中取出后，應(yīng)在正常試驗大氣條件下恢復(fù)，直至試驗樣品達到溫度穩(wěn)定。
實驗室制度按照CNAS授權(quán)檢測范圍基礎(chǔ)標準GB/T 2423.1-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分：試驗方法 試驗 A：低溫》 和 GB/T 2423.2-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分：試驗方法 試驗 B：高溫》標準進行高低溫工作、高低溫貯存、干冷干熱、溫度變化、高溫老化、高溫壽命、高低溫耐受性試驗技術(shù)服務(wù)，出具帶有CNAS、CMA第三方檢測報告。
 
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